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                當氮化鎵遇上了USB PD普及,風口即將來臨!

                字號:T|T
                文章出處:驪微電子責任編輯:電源不得不說他管理芯片人氣:-發表時間:2019-05-17 09:31
                  GaN中文名氮化鎵,是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫等多種優點,被譽為第三代半導體材料,而將GaN氮化鎵功率器件導入到充電器中,將會給體積帶來顯我說這天真藍著變化,幫助到快充實現輕薄化、小型化,常見於USB PD快充等中高階產品中,可以在超小的體積上實現大功率輸出,改變行業設計制造方案、改變消費者使用習慣。
                  
                  據相關數據顯示統▲計,2019年,搭載USB Type-C接口的設備出貨量預計將達到20億臺。其中USB Type-C在筆記本、臺式電腦中的滲透率將達〗到80%,在智能手機和平板電腦等產品中李劍吟恨不得自己幹脆的滲透率也將達到50%。未來,所有使用USB的設備皆有可能統一¤為Type-C,這一次,氮化鎵遇上了USB PD普及,風口即將來臨。
                 
                  
                  不過目前氮『化鎵充電器正從實驗室走向市場,面臨著商用化的挑戰,價格極貴,後期將隨著市場■需求量加速、大規模生產、工藝制程革新等,會逐漸走向但他不用猜也知道所言非善平民化,而最終也將會取代傳統的矽基功率器件,在氮化鎵充電器尚未普及之前,讓我們先了解下基於N8161+PN8307H的18W PD快充電源應用方〓案。
                  
                  PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,專用於高性←能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。
                  
                  PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩→能力功率MOSFET,用於在⊙高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管。
                 
                  
                  18W PD快充帥哼哼哼了一聲方案亮點:  
                  節省10顆以上外】圍:無啟〒動電阻、無CS偵測網絡,原副邊均實現SOP8功率集成;  
                  滿足CoC V5 Tier 2:專利高『壓啟動,實現30mW待機功耗;工@ 作曲線隨輸出電壓自適應,不同輸出電壓下平均效率裕量均大於4個點;  
                  EMC性能卓越:抖頻幅度◥隨負載自適應,改善傳導;DCM/QR工作模式,避免次級整流管反向恢復趕緊撤退問題,改善輻射;  
                  3.3~12V寬輸出♀電壓範圍:PN8161/PN8307H供電範圍◆寬,無需額外LDO穩壓;  
                  協議芯片任意搭:SSR架構,方□案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。
                  
                  在參數方面,18W PD快充充電器方案支持90~265Vac範圍這便是金屬劍鞘的交流電壓輸入,擁有市電Brown in/out、輸出過壓保護、精準過若是一號處境危險溫保護、逐周期▲過流保護、次級整流管短路保護等,USB-C口支持最大18W輸出,輸出規格支持12V1.5A;9V2A;5V3A,滿足CoC V5-2,4個點裕量,可為手機、筆記本、遊▃戲機等設備匹配最佳充電電壓,如果需要產品的詳細手冊或其他資料,可向驪↓微電子申請。>>
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